江西誉鸿锦芯片科技有限公司成立于2021年1月，坐落在江西省抚州市高新技术产业开发区半导体科技园，主要从事高品质氮化镓（GaN）电子材料和高端光电材料的MOCVD外延生长及器件、模组的研发和生产制造。
公司团队成员十余年来专注于GaN电子器件，如射频/功率肖特基二极管（SBD）、高电子迁移率晶体管（HEMT）的研发，拥有丰富的工艺经验，掌握了氮化镓外延、器件制备和封装等领域的核心技术，达到世界先进水平。同时，在UVC- LED和GaN 蓝绿激光器的研发和生产上，公司引进日本大阳日酸株式会社MOCVD设备，由世界一流的专家提供技术支持。
公司已具备4/6/8寸氮化镓电子材料的外延生产能力，拥有一条SBD/HEMT芯片中试生产线，一条封装测试线，具备每月产能5万片，对应约1.5亿颗芯片。
公司将致力于实现氮化镓电子器件和高端光电器件等领域的 中国智造 ！
未来五年规划，将分成三期，详情如下：
第一期：一期项目投资约3亿元人民币，其中生产设备投资2.7亿元人民币，厂房装修优化约3000万人民币，建设包含6台MOCVD的氮化镓外延生产线（投资约1亿元人民币），一条芯片中试生产线（投资约1.3亿元人民币）以及一条封装测试线（投资约7000万元人民币），一期将可形成月产能1500片，对应约1500万颗芯片。
第二期：二期项目投资金额约9亿元人民币，其中二期项目第一阶段投资新增10台MOCVD的氮化镓外延片生产线，第二阶段建一条芯片量产线和再增加10台MOCVD的氮化镓外延片生产线。二期将可形成月产能6000片，对应约6000万颗芯片，项目完成后将可实现年主营业务30亿元人民币左右，年入库税收约7500万元人民币。
第三期：三期项目投资金额约38亿元人民币，其中增加两条氮化镓芯片生产线，月产能20000片，对应约2亿颗芯片，项目完成后将可实现年主营业务收入达100亿人民币左右，年入库税收约2.5亿元。
