注入设备工程师

浙江广芯微电子有限公司成立于2021年10月9号，坐落于美丽的浙江省丽水市经开区。广芯微电子不断践行SMART IDM理念，以 定制化代工 为运营策略，以市场需求为驱动、产品为中心，定义差异化工艺技术平台。广芯微电子专注于汽车电子、能源革命、工业控制等应用领域，致力于满足国产化进口替代芯片制造需求，助力浙江省打造半导体产业 第三极 。

广芯微电子项目分为二期进行，计划总投资约30亿元，总占地面积148亩。一期新建厂房及配套设施占地3万余平方米，主要面向6英寸特色工艺高端硅基功率半导体器件，包含IGBT、TMBS等。二期新建厂房及配套设施占地1.4万余平方米，主要面向第三代半导体碳化硅、氮化镓功率器件及8英寸特色工艺高端硅基功率器件，包含中低压分立栅（Split-gate Trench MOS）、超级结（CoolMOS）、高压BCD工艺等。

二期建设全部完成投产后，将实现年产折合6英寸240万片特色工艺硅基功率半导体晶圆及年产3.6万片第三代半导体碳化硅、氮化镓晶圆。从而满足我国面向能源革命、高压轨道交通及特高压电力系统等对功率半导体分立器件、电源管理芯片的需求。