晶体生长工艺研发工程师

岗位职责 1，负责碳化硅晶体生长工艺参数的研发计划制定 2，碳化硅晶体生长数据统计，分析并总结规律，优化现有晶体生长工艺，进行晶体质量检测和分析 3，跟踪研发转化生产工艺结果，协助研发及时解决工艺转化过程中出现的问题 4，统计切割片缺陷和检测片缺陷，及时提出影响产品质量的关键缺陷 5，负责提供工艺要求，参与新设备的调试，验收工作（配合机械，电气做SIC晶体生长炉研发工作 任职要求 1，硕士及上学历，无机非金属，半导体材料，物理等相关专业 2，掌握晶体的生长理论，具有3年以上sic，单晶硅，III-VI族，II-VI族等晶体生长直接工作经验，其中，有碳化硅生长经验者优先 3，有热场模拟的基础理论知识及技能，能够根据实验结果进行热场调整：了解晶体处理及分析方法，并根据测试结果指导实验，熟悉长晶设备，具备一定设备故障处理能力： 4，工作认真细致有条理性，责任心强，具备较好的学习能力，科研能力，团队工作能力，良好的沟通协调能力 5，会ANSYS,FLOW SIMULATION等热流固分析经验 6，工作经历CREE,三安，天科合达，山东天岳等。